三星發現新型半導體材料!或加速下一代半導體問世
2020-7-8 13:44:39??????點擊：
[導讀]7月6日，三星電子宣布，三星高級技術學院的研究人員與蔚山國立科學技術學院和美國大學合作，發現了一種新材料，稱為非晶氮化硼(a-BN)。 三星表示，這項發表在《自然》雜志上的研究有可能加速下一代半導體的問世。
從硅、鍺到化合物半導體再到寬禁帶半導體，面對不同的應用需求，半導體材料的發展也不斷向前推進，下一代半導體材料何時到來?
7月6日，三星電子宣布，三星高級技術學院的研究人員與蔚山國立科學技術學院和美國大學合作，發現了一種新材料，稱為非晶氮化硼(a-BN)。 三星表示，這項發表在《自然》雜志上的研究有可能加速下一代半導體的問世。
三星稱，三星高級技術學院最近一直在研究二維(2D)材料-具有單原子層的晶體材料的研究和開發。具體而言，該研究所一直致力于石墨烯的研究和開發，并在該領域取得了突破性的研究成果，例如開發新的石墨烯晶體管以及生產大面積單晶晶片的新方法。除了研究和開發石墨烯外，三星高級技術學院還致力于加速材料的商業化。
三星高級技術學院石墨烯項目負責人兼首席研究員Shin Hyeon-jin表示：“為增強石墨烯與基于硅的半導體工藝的兼容性，應在低于400攝氏度的溫度下實現半導體襯底上晶圓級石墨烯的生長。我們還在不斷努力，將石墨烯的應用范圍擴展到半導體以外的領域。” 新發現的材料稱為非晶氮化硼(a-BN)，由具有非晶分子結構的硼和氮原子組成。盡管非晶態氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六邊形結構排列的硼和氮原子，但實際上a-BN的分子結構使其與白色石墨烯具有獨特的區別。 非晶氮化硼具有1.78的同類最佳的超低介電常數，具有強大的電氣和機械性能，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾。還證明了該材料可以在僅400攝氏度的低溫下以晶圓級生長。因此，預計非晶氮化硼將廣泛應用于諸如DRAM和NAND解決方案的半導體中，尤其是在用于大型服務器的下一代存儲解決方案中。 “最近，人們對2D材料及其衍生的新材料的興趣不斷增加。但是，將材料應用于現有的半導體工藝仍然存在許多挑戰。” 三星高級技術學院副總裁兼無機材料實驗室負責人樸成俊說。“我們將繼續開發新材料來引領半導體范式的轉變。”
21IC家以為，科技的發展是螺旋形循序漸進的推進，在摩爾定律的指導下，集成電路的發展正逐漸逼近物理的極限，新材料和新型拓撲結構的出現無疑將為集成電路的發展打開另一個通道。
從硅、鍺到化合物半導體再到寬禁帶半導體，面對不同的應用需求，半導體材料的發展也不斷向前推進，下一代半導體材料何時到來?
7月6日，三星電子宣布，三星高級技術學院的研究人員與蔚山國立科學技術學院和美國大學合作，發現了一種新材料，稱為非晶氮化硼(a-BN)。 三星表示，這項發表在《自然》雜志上的研究有可能加速下一代半導體的問世。
三星稱，三星高級技術學院最近一直在研究二維(2D)材料-具有單原子層的晶體材料的研究和開發。具體而言，該研究所一直致力于石墨烯的研究和開發，并在該領域取得了突破性的研究成果，例如開發新的石墨烯晶體管以及生產大面積單晶晶片的新方法。除了研究和開發石墨烯外，三星高級技術學院還致力于加速材料的商業化。
三星高級技術學院石墨烯項目負責人兼首席研究員Shin Hyeon-jin表示：“為增強石墨烯與基于硅的半導體工藝的兼容性，應在低于400攝氏度的溫度下實現半導體襯底上晶圓級石墨烯的生長。我們還在不斷努力，將石墨烯的應用范圍擴展到半導體以外的領域。” 新發現的材料稱為非晶氮化硼(a-BN)，由具有非晶分子結構的硼和氮原子組成。盡管非晶態氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六邊形結構排列的硼和氮原子，但實際上a-BN的分子結構使其與白色石墨烯具有獨特的區別。 非晶氮化硼具有1.78的同類最佳的超低介電常數，具有強大的電氣和機械性能，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾。還證明了該材料可以在僅400攝氏度的低溫下以晶圓級生長。因此，預計非晶氮化硼將廣泛應用于諸如DRAM和NAND解決方案的半導體中，尤其是在用于大型服務器的下一代存儲解決方案中。 “最近，人們對2D材料及其衍生的新材料的興趣不斷增加。但是，將材料應用于現有的半導體工藝仍然存在許多挑戰。” 三星高級技術學院副總裁兼無機材料實驗室負責人樸成俊說。“我們將繼續開發新材料來引領半導體范式的轉變。”
21IC家以為，科技的發展是螺旋形循序漸進的推進，在摩爾定律的指導下，集成電路的發展正逐漸逼近物理的極限，新材料和新型拓撲結構的出現無疑將為集成電路的發展打開另一個通道。
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