AMR角度傳感器
2020-7-26 12:28:46??????點擊：276
在當今的位置檢測技術中，各向異性磁阻(AMR)薄膜材料變得日益重要。相比傳統(tǒng)技術，磁阻(MR)位置測量具有多種優(yōu)勢。可靠性、精度和整體魯棒性是推動磁阻檢測技術快速發(fā)展的主要因素。低成本、相對較小的尺寸、非接觸式操作、寬溫度范圍、對灰塵和光的不敏感性、寬磁場范圍，這些特性共同造就出一種魯棒的傳感器設計。
MR效應指某種材料隨外加磁場的方向或幅度而改變其電阻的能力。AMR材料有兩個不同的操作區(qū)間，即高場強區(qū)和低場強區(qū)。本應用筆記將討論高場強應用，當外加磁場遠遠大于傳感器的內(nèi)部磁場時，我們就說該傳感器處于飽和工作狀態(tài)。在這種工作模式下，電阻的改變僅僅取決于磁場方向而非施加的磁場強度。受AMR薄膜性質(zhì)影響，材料的電阻變化在兩個相反磁場方向下是相等的，即是說，傳感器本身無法區(qū)分北磁極和南磁極。因此，對應單個旋轉偶極磁體的輸出信息會在整個機械旋轉過程中重復兩次。這種效應使測量范圍限制到180°。電阻變化可由下式來模擬：
其中：
R為傳感器電阻。
R0為未激勵傳感器電阻。
ΔR0為傳感器電阻的變化。
一般地，對于AMR傳感器來說，ΔR0約為電橋總電阻的3%。由于電阻變化極小，因此，需要用一個儀表放大器，把輸出信號進一步放大到相對于電源電壓的可用值。
MR效應指某種材料隨外加磁場的方向或幅度而改變其電阻的能力。AMR材料有兩個不同的操作區(qū)間，即高場強區(qū)和低場強區(qū)。本應用筆記將討論高場強應用，當外加磁場遠遠大于傳感器的內(nèi)部磁場時，我們就說該傳感器處于飽和工作狀態(tài)。在這種工作模式下，電阻的改變僅僅取決于磁場方向而非施加的磁場強度。受AMR薄膜性質(zhì)影響，材料的電阻變化在兩個相反磁場方向下是相等的，即是說，傳感器本身無法區(qū)分北磁極和南磁極。因此，對應單個旋轉偶極磁體的輸出信息會在整個機械旋轉過程中重復兩次。這種效應使測量范圍限制到180°。電阻變化可由下式來模擬：
其中：
R為傳感器電阻。
R0為未激勵傳感器電阻。
ΔR0為傳感器電阻的變化。
一般地，對于AMR傳感器來說，ΔR0約為電橋總電阻的3%。由于電阻變化極小，因此，需要用一個儀表放大器，把輸出信號進一步放大到相對于電源電壓的可用值。
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