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快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力

2020/8/10 12:03:47 點擊:
[導讀] 加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和馬薩諸塞州諾伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 7 月 6 日 – 亞德諾半導體 (Analog


加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和馬薩諸塞州諾伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 7 月 6 日 – 亞德諾半導體 (Analog Devices, Inc.,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7001,該器件以高達 150V 電源電壓運行。其內部充電泵全面增強了外部 N 溝道 MOSFET 開關,使其能夠保持無限期接通。LTC7001 強大的 1Ω 柵極驅動器可憑借非常短的轉換時間和 35ns 傳播延遲,非常方便地驅動柵極電容很大的 MOSFET,因此很適合高頻開關和靜態開關應用。


LTC7001 用來接收以地為基準的低壓數字輸入信號,并快速驅動一個漏極電壓可能在 0V 至 135V (絕對最大值為 150V) 之間的高壓側 N 溝道功率 MOSFET。LTC7001 在 3.5V 至 15V 的驅動器偏置電源范圍內運行,具可調欠壓閉鎖。當驅動一個 1000pF 負載時,快速 13ns 上升和下降時間最大限度降低了開關損耗。其他特點包括可調接通轉換率和可調過壓閉鎖。


LTC7001 采用 MSOP-10 封裝,其引線配置為提供高壓間隔。該器件有 3 種工作結溫級版本,擴展和工業級版本的溫度范圍為 –40°C 至 125°C,高溫汽車級版本則為 –40°C 至 150°C,軍用級版本為 –55°C 至 150°C。千片批購價為每片 2.40 美元。


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